现在整个内存芯片市场是相当亢奋的。
美光最新的财报显示，截止至 5 月 28 日2026 财年 Q3，营收2997.27 亿元， 同比增速：+346%，而净利润2041.97亿元， 同比增速1398.3%。
还有三星、SK海力士一季度，也是大爆发，三星一季度利润2157.04 亿元，SK海力士一季度利润1844.00 亿元。
在这样的情况之下，中国内存巨头长鑫存储，自然也是大赚，一季度营收508亿元，大增719%，而利润高达330亿元，大增1688%。
很多人认为，接下来，国产内存芯片将彻底腾飞起来，那么问题就来了，目前长鑫存储目前到底处于什么水平?
首先是看市场份额情况。
我们根据机构发布的2026年一季度全球DRAM内存市场份额情况，就能够看出来。
如下图所示，长鑫没有列在榜单的前五名，因为其业绩没有公开数据可查，长鑫也不是上市公司，可以不公开的，所以机构没有得到真实的数据。
但是，大家仔细看看这张表，就会明白，长鑫实际上就是等于Others，也就是占8%左右的份额，是能够排在全球第四名的。
当然与三星、SK海力士、美光等相比，确实份额还差了点，只有三星的四分之一左右，只有SK海力士、美光的三分之一左右，但也确实是排在第4名的。
接着说技术，目前在DRAM内存领域，主要有两块，一种是DDR内存，一种是HBM。
DDR内存方面，目前最先进的是DDR5、LPDDR5X这些，从实际表现来看，长鑫也有了DDR5、LPDDR5X，从性能上来看，也与三星等巨头们几乎没差距。
但有一说一，在实际的工艺水平上，与三星、SK海力士们还是有差距的。
三星的内存工艺路线：1x→1y→1z→1a→1b→1c，全程 EUV 光刻，单元密度行业顶尖。目前稳定量产是1b，大约是12-13nm工艺，正在测试1c，也就是11~12nm。
而SK海力士、美光也差不多，目前主力在12-13nm的水平，正在测试11-12nm的水平，这三家进度差不多。
但是长鑫因为没有EUV光刻机，主力是G3工艺（等效 1y/1z，17nm），正在量产G4（等效 1z，16nm），等待量产的是G5（等效 1α/1a，15nm），明显还是有差距的，代差可能在1-2代的水平。
另外在HBM上，长鑫 16nm 仅能做低端 HBM2，而像三星、SK海力士等厂商已经能够量产HBM3e/HBM4，也是落后1-2代的水平。
所以不黑不吹，总体来看，不管是产能，还是从技术本身上来说，长鑫与全球顶级厂商三星们，还是有很大的差距的，还需要继续努力。
当然，长鑫成立也才10来看时间，就快要追上三星们了，这就已经相当厉害了，假以时间，追上并超过，并不是太大的问题。
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